Zastępstwo dla krzemu
Wednesday, December 13, 2006 11:39:56 PM
Naukowcy z Instytutu MIT w Massachusetts poinformowali o rozpoczęciu prac nad opracowaniem nowej technologii produkcji układów elektronicznych, która zapewni postęp w dziedzinie miniaturyzacji.
Przedstawiciel zespołu naukowców odpowiedzialnych za projekt badawczy, prof. Jesus del Alamo, w swojej wypowiedzi wysunął twierdzenie o konieczności szybkiego wynalezienia nowej technologii, która zapewniłaby postęp miniaturyzacji. Zdaniem naukowca, rozwój technologii opartej na układach krzemowych ulegnie gwałtownemu zahamowaniu w przeciągu kilku lat. W celu dalszego prowadzenia procesu miniaturyzacji, niezbędne jest opracowanie technologii, która zdoła pokonać bariery układów krzemowych.
Materiałami, które według naukowców mogłyby w przyszłości zastąpić związki krzemu wykorzystywane do produkcji układów elektronicznych, są półprzewodniki oparte na związkach pierwiastków grupy III (B, Al, Ga, In) i V (N, P, As, Sb, Bi). Jednym z nich jest zaprezentowany przez Instytut MIT związek InGaAs. Prototypy układów, w których zastosowano ten związek, pracowały znacznie szybciej niż te, oparte na technologii krzemowej. Według prof. del Alamo, istnieje możliwość opracowania jeszcze wydajniejszych rozwiązań.
Przedstawiciel zespołu naukowców odpowiedzialnych za projekt badawczy, prof. Jesus del Alamo, w swojej wypowiedzi wysunął twierdzenie o konieczności szybkiego wynalezienia nowej technologii, która zapewniłaby postęp miniaturyzacji. Zdaniem naukowca, rozwój technologii opartej na układach krzemowych ulegnie gwałtownemu zahamowaniu w przeciągu kilku lat. W celu dalszego prowadzenia procesu miniaturyzacji, niezbędne jest opracowanie technologii, która zdoła pokonać bariery układów krzemowych.
Materiałami, które według naukowców mogłyby w przyszłości zastąpić związki krzemu wykorzystywane do produkcji układów elektronicznych, są półprzewodniki oparte na związkach pierwiastków grupy III (B, Al, Ga, In) i V (N, P, As, Sb, Bi). Jednym z nich jest zaprezentowany przez Instytut MIT związek InGaAs. Prototypy układów, w których zastosowano ten związek, pracowały znacznie szybciej niż te, oparte na technologii krzemowej. Według prof. del Alamo, istnieje możliwość opracowania jeszcze wydajniejszych rozwiązań.
